半导体刻蚀工艺流程及两种技术介绍

离子注入（Etching），它是半导体设备加工工艺，微电子技术IC生产制造加工工艺及其微结构生产制造加工工艺中的一种非常关键的流程。是与光刻技术相联络的图形界面（pattern）解决的一种关键加工工艺。

蚀刻加工是将原材料应用化学变化或物理学碰撞功效而清除的技术性。蚀刻加工技术性能够 分成湿蚀刻加工(wet etching)和干蚀刻加工(dry etching)两大类。

最开始可以用来生产制造铜版纸、锌版等包装印刷凸凹版，也普遍的被应用于缓解净重(Weight Reduction)仪器设备镶板，出厂铭牌及传统式生产加工法无法生产加工之薄形产品工件等的生产加工；历经持续改进和工艺技术发展趋势，亦能够 用以航空公司、机械设备、化工中电子器件片状零件高精密蚀刻加工商品的生产加工，尤其在半导体材料制造上，蚀刻加工也是必不可少的技术性。

*事实上小范围了解便是光刻技术浸蚀，先根据光刻技术将光刻技术开展光刻技术曝出解决，随后根据其他方法完成浸蚀解决掉所需去除的一部分。伴随着微生产制造加工工艺的发展趋势。

*理论上而言，离子注入变成根据水溶液、反映正离子或其他机械设备方法来脱离、除去原材料的一种通称，变成微生产加工生产制造的一种广泛称呼。

从生产流程上，分成二种：

1、干法刻蚀

运用等离子技术将不必的原材料除去（亚微米规格下离子注入元器件的最关键方式）。

2、湿式离子注入

  运用腐蚀液态将不必的原材料除去。

不言而喻，他们的差别就取决于湿式应用有机溶剂或水溶液来开展离子注入。湿式离子注入是一个单纯的化学变化全过程，就是指运用水溶液与预离子注入原材料中间的化学变化来除去未被掩蔽膜原材料掩蔽的一部分而做到离子注入目地。